Разделы 
Дополнительно
Ширина запрещенной зоны Еg, сродство к электрону χ и порог фотоэмиссии hν₀ различных полупроводниковых материалов
| Материал |
Химическая формула |
Eg, эв |
χ, эв |
hν₀, эв |
| Бария окись |
$BaO$ |
3,7 |
1,3 |
5 |
| Бария титанат |
$BaTiO_{3}$ |
2,7 |
2,6 |
5,3 |
| Висмута теллурид |
$Bi_{2}Te_{3}$ |
0,1 |
5,2 |
5,3 |
| Галлия антимонид |
$GaSb$ |
0,7 |
4,1 |
4,8 |
| Галлия арсенид |
$GaAs$ |
1,4 |
4,1 |
5,5 |
| Германий |
$Ge$ |
0,7 |
4,2 |
4,9 |
| Индия антимонид |
$InSb$ |
0,2 |
4,6 |
4,8 |
| Индия арсенид |
$InAs$ |
0,4 |
4,9 |
5,3 |
| Индия фосфид |
$InP$ |
1,3 |
4,4 |
5,7 |
| Кадмия селенид |
$CaSe$ |
3 |
4 |
7 |
| Кадмия сульфид |
$CdS$ |
2.4 |
3,8-4,8 |
6,2-7,2 |
| Кадмия теллурид |
$CdTe$ |
1,5 |
4,4 |
5,9 |
| Калия иодид |
$KI$ |
6,2 |
1,1 |
7,3 |
| Кремний |
$Si$ |
1,1 |
4 |
5,1 |
| Кремния карбид (кубич.) |
$SiC$ |
2,2 |
4,8 |
7 |
| Кремния карбид (гекс.) |
$SiC$ |
2,9 |
4,1 |
7 |
| Лития иодид |
$LiI$ |
5,9 |
1,4 |
7,3 |
| Лития фторид |
$LiF$ |
12 |
1 |
13 |
| Магния антимонид |
$Mg_{3}Sb_{2}$ |
0,8 |
3,0 |
3,8 |
| Магния окись |
$MgO$ |
8,7 |
1 |
<10 |
| Меди иодид |
$CuI$ |
3 |
3 |
6 |
| Натрия иодид |
$NaI$ |
5,8 |
1,5 |
7,3 |
| Ртути селенид |
$HgSe$ |
0,7 |
4,4 |
5,1 |
| Ртути теллурид |
$HgTe$ |
0,5 |
4 |
4,5 |
| Рубидия иодид |
$RbI$ |
6,1 |
1,2 |
7,3 |
| Рубидия теллурид |
$Rb_{2}Te$ |
3,3 |
<0,5 |
3,7 |
| Свинца сульфид |
$PbTe$ |
0,4 |
<4,2 |
<4,6 |
| Свинца теллурид |
$PbTe$ |
0,3 |
4,7 |
5 |
| Селен |
$Se$ |
2,3 |
3,7 |
6 |
| Серебра бромид |
$AgBr$ |
2,5 |
3,5 |
6 |
| Серебра хлорид |
$AgCl$ |
3 |
3 |
6 |
| Теллур |
$Te$ |
0,3 |
4,6 |
4,9 |
| Цезия аурит |
$CsAu$ |
2,6 |
1,4 |
4 |
| Цезия иодид |
$CsI$ |
>6 |
<0,5 |
6,4 |
| Цезия теллурид |
$Cs_{2}Te$ |
3,3 |
<0,5 |
3,5 |
