2017-09-30
Легирование германия акцепторной примесью (например, индием) намного увеличивает концентрацию дырок. Как при этом изменяется концентрация свободных электронов?
Решение:
Количество образующихся ежесекундно в единице объема германия свободных электронов при легировании практически не меняется (оно определяется температурой полупроводника). А вот вероятность «гибели» свободного электрона в результате встречи с дыркой и рекомбинации резко возрастает — ведь дырок стало намного больше. Следовательно, динамическое равновесие между процессами рождения и гибели свободных электронов достигается при значительно меньшей концентрации свободных электронов, если в полупроводник внесена акцепторная примесь.
Ответ: уменьшается.